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Catálogo No. | CY3528 |
Material | ZrGeTe4 |
Talla | 4-5 mm de tamaño |
Estructura cristalina | Fase tetragonal |
Método de producción | Zona de flujo |
Elcristal ZrGeTe4 es un semiconductor anisótropo en capas con un bandgap previsto de 0,4 eV. Stanford Advanced Materials (SAM) cuenta con una amplia experiencia en la fabricación y el suministro de productos semiconductores de alta calidad.
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