CY3435 Sustrato monocristalino de AlN

Descripción del sustrato monocristalino de AlN

El sustrato monocristalino de AlN es un material semiconductor de banda prohibida ancha con características excepcionales.

La brecha de banda es de 6,2 eV y tiene una brecha de banda directa. Es un importante material emisor de luz azul y ultravioleta; alta conductividad térmica, alto punto de fusión, alta resistividad, fuerte campo de ruptura y bajo coeficiente dieléctrico. Es un excelente material electrónico para dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia; El AlN orientado a lo largo del eje c tiene muy buenas propiedades piezoeléctricas y de propagación a alta velocidad de ondas acústicas superficiales, y es un excelente material piezoeléctrico para dispositivos de ondas acústicas superficiales.

En vista de las excelentes propiedades físicas de los materiales de AlN mencionados, los cristales de AlN son sustratos ideales para materiales epitaxiales de GaN, AlGaN y AlN. En comparación con los sustratos de zafiro o SiC, el AlN y el GaN presentan una mayor adaptación térmica y compatibilidad química, y la tensión entre el sustrato y la capa epitaxial es menor. Por lo tanto, cuando el cristal de AlN se utiliza como sustrato epitaxial de GaN, los defectos en el dispositivo se pueden reducir en gran medida la densidad, mejorar el rendimiento del dispositivo, tienen una buena perspectiva de aplicación en la preparación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.

Especificaciones del sustrato monocristalino de AlN

Aplicaciones del sustrato monocristalino de AlN

Ampliamente utilizado en la preparación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.

Embalaje del sustrato monocristalino de AlN

Nuestro sustrato monocristalino de AlN se manipula cuidadosamente durante el almacenamiento y el transporte para preservar la calidad de nuestro producto en su estado original.