CY3307 Oblea epitaxial SiC-GaN EPI

Catálogo No.	CY3307
Material del sustrato	SiC
Diámetro	4, 5, 6, 8 pulgadas
Espesor de la epicapa, µm	0.1-100
Orientación	<100>, <111>
Espesor del sustrato (um)	300-725

Laoblea epitaxial SiC-GaN EPI se refiere a una película delgada semiconductora cultivada sobre un sustrato. Stanford Advanced Materials (SAM) cuenta con una amplia experiencia en la fabricación y el suministro de productos ópticos de alta calidad.

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CONSULTA

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Diámetro de la oblea		4"	5"	6"	8"
Capa EPI	Dopante	Boro, fósforo, arsénico
	Orientación	<100>, <111>
	Tipo de conductividad	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Resistividad	0,001-50 Ohm-cm
	Res. Uniformidad	Estándar <6%, Capacidades máximas <2
	Espesor (um)	0.1-100
	Uniformidad de grosor	Estándar <3%, Capacidades máximas <1
Sustrato	Orientación	<100>, <111>
	Tipo de conductividad/Dopante	Tipo P/Boron , Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
	Espesor (um)	300-725
	Resistividad	0,001-100 Ohm-cm
	Estado de la superficie	P/P, P/E
	Partículas	<50@.0.5um

Diámetro de la oblea		4"	5"	6"	8"
Capa EPI	Dopante	Boro, fósforo, arsénico
	Orientación	<100>, <111>
	Tipo de conductividad	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Resistividad	0,001-50 Ohm-cm
	Res. Uniformidad	Estándar <6%, Capacidades máximas <2
	Espesor (um)	0.1-100
	Uniformidad de grosor	Estándar <3%, Capacidades máximas <1
Sustrato	Orientación	<100>, <111>
	Tipo de conductividad/Dopante	Tipo P/Boron , Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
	Espesor (um)	300-725
	Resistividad	0,001-100 Ohm-cm
	Estado de la superficie	P/P, P/E
	Partículas	<50@.0.5um

CY3307 Oblea epitaxial SiC-GaN EPI

Oblea epitaxial SiC-GaN EPI Descripción

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