Oblea epitaxial de zafiro Descripción de la oblea EPI
La esencia del silicio sobre sustrato de zafiro (SOS) es un proceso heteroepitaxial, es decir, se hace crecer una fina capa de SI (normalmente inferior a 0,6 micras) sobre una oblea de zafiro. S0S pertenece a la tecnología epitaxial de silicio sobre un sustrato aislante en tecnología CMOS (SOI) Debido a su inherente resistencia a la radiación, SOS se utiliza principalmente en aplicaciones aeroespaciales y militares. Normalmente, se utilizan cristales de zafiro de gran pureza cultivados artificialmente. El silano suele descomponerse por calentamiento y luego se deposita sobre el sustrato de zafiro para obtener silicio. La ventaja del SOS es que su excelente aislamiento eléctrico puede evitar eficazmente que la radiación causada por la corriente dispersa se propague a los componentes cercanos.
Especificaciones de las obleas epitaxiales de zafiro EPI
Gama de parámetros de las obleas epitaxiales de silicio sobre zafiro (SOS)
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Diámetro de la oblea
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76 mm, 100 mm, 150 mm
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Orientación
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(1012) ± 1º (plano R)
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Dopante del sustrato
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-
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Espesor de la epicapa, µm
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0,3 - 2,0
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Dopante de la epicapa
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Fósforo, Boro
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tipo n
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según espec.
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tipo p
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1,0 - 0,01
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Aplicaciones de las obleas epitaxiales de zafiro EPI
El SOS se utiliza principalmente en aplicaciones aeroespaciales y militares.
Zafiro Epitaxial Wafer EPI Wafer Embalaje
Nuestras obleas epitaxiales de zafiro EPI Wafer se manipulan cuidadosamente durante el almacenamiento y el transporte para preservar la calidad de nuestro producto en su estado original.