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Stanford Advanced Materials
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  • CY2536 Sustratos monocristalinos de silicio-germanio (Si-Ge)

    • CY2536 Sustratos monocristalinos de silicio-germanio (Si-Ge)

    Catálogo No. CY2536
    Talla 4" de diámetro x 0,5 mm
    Material Si-Ge（2 wt% Ge）
    Orientación <100> ±0.5°
    Método de crecimiento Proceso de cristalización

    Los sustratos de monocristal desilicio-germanio (Si-Ge) se han utilizado ampliamente gracias a sus excelentes propiedades. Stanford Advanced Materials (SAM) cuenta con más de dos décadas de experiencia en la fabricación y venta de sustratos de cristal único de silicio-germanio ( Si-Ge).

    Relacionados: Sustrato de Cristal LiAlO2, Sustrato de Cristal LAST, Sustrato de Cristal LiF, Sustrato de Cristal NdGaO3.

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    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
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