GA2269 Oblea de fosfuro de galio (GaP)
| Catálogo No. | GA2269 |
| Material | GaP |
| Espesor | 400um |
| Tipo conductor | N - tipo |
| Diámetro | Ø 2" |
| Talla | 2'' dia x 400um-500um espesor, 5x5x0.3-0.5mm, 10x10x0.45mm, |
La oblea de fosfuro de galio (GaP) es un importante material semiconductor que posee propiedades eléctricas únicas respecto a otros materiales compuestos III-V. Stanford Advanced Materials (SAM) suministra obleas de GaP (fosfuro de galio) monocristalinas de alta calidad a la industria electrónica y optoelectrónica en diámetros de hasta 2 pulgadas.
Productos relacionados: Oblea denitruro de galio, Oblea dezafiro, Oblea de carburo de silicio, Obleade silicio, Oblea de arseniuro de galio, Oblea de germanio (Ge wafer).
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Especificación
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