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GA2171 Oblea de arseniuro de galio (GaAs)

Catálogo No. GA2171
Material GaAs
Espesor 350 um ~ 625 um
Diámetro Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"

Stanford Advanced Materials (SAM) ofrece obleas monocristalinas de GaAs producidas mediante dos técnicas principales de crecimiento: el método LEC y el método VGF, lo que nos permite ofrecer a los clientes la más amplia gama de material de GaAs con alta uniformidad de propiedades eléctricas y excelente calidad superficial.

Productos relacionados: Oblea de nitruro de galio, Oblea de zafiro, Oblea de carburo de silicio, Oblea de silicio, Oblea de germanio (Ge wafer).

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