Oblea de óxido de galio Descripción
La oblea de óxido de galio, a diferencia del SiC o el GaN, tiene una alta resistencia a la tensión, un amplio intervalo de banda y un bajo coste de producción. La oblea de óxido de galio es un semiconductor de cuarta generación. Se utiliza principalmente para alimentar dispositivos electrónicos como vehículos eléctricos. Existen cinco fases cristalinas de Ga2O3, pero la beta-Ga2O3 es la única que puede existir de forma estable a altas temperaturas.
Especificaciones de las obleas de óxido de galio
Grado
|
Grado Prime
|
Tamaño
|
D25.4mm-50.8mm, Longitud 5mm-15mm
(Tamaños especiales disponibles bajo pedido)
|
Banda de separación
|
4,8~4,9eV
|
Orientación
|
<201> <010>
|
Resistividad eléctrica(300K)
|
>1E6 Ohm*cm
|
Tipo de cristal
|
Monoclínico
|
Constante dieléctrica
|
10
|
Densidad
|
5,95/cm3
|
Punto de fusión
|
1725℃
|
Espesor
|
0,5~0,8mm
|
Pulido
|
Epi-ready, RMS < 0,5 nm en la cara Ga, pulido óptico en la cara O
|
Aplicaciones de las obleas de óxido de galio
Utilizado en electrónica de alta potencia.
Utilizado en electrónica de alta frecuencia.
Utilizado como sustrato para transistores de alta movilidad de electrones (HEMT).
Se utiliza en detectores UV, LED y sensores de gas.
Embalaje de obleas de óxido de galio
Nuestras obleas de óxido de galio se manipulan cuidadosamente durante el almacenamiento y el transporte para preservar la calidad de nuestro producto en su estado original.