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Catálogo No. | AS3651 |
Material | Ar2S3 |
Método de crecimiento | Bridgman-Stockbarger |
Brecha de banda | ~2,2 eV a granel |
Pureza | 99.999% |
Elsulfuro de arsénico (As2S3) es un semiconductor de brecha directa y tiene una brecha de banda de unos 2,5 eV. Stanford Advanced Materials (SAM) cuenta con una amplia experiencia en la fabricación y el suministro de productos ópticos de alta calidad.
Productos relacionados: Cristal CrBr3, Disulfuro de hafnio (HfS2), Cristal de disulfuro de tungsteno (WS2)
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