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ZN2277 Obleas de óxido de zinc Sustratos

Catálogo No. ZN2277
Material ZnO
Estructura cristalina Hexagonal
Índice de refracción 2.0681/2.0510

SAM proporciona sustratos de oblea de óxido de zinc con un tamaño de 10 x 10 x 0,5 mm, siempre elegimos oblea de primera calidad y sin defectos como sustrato para el crecimiento de la capa de óxido térmico de alta uniformidad para satisfacer sus requisitos específicos.

Productos relacionados: Oblea de antimonio de indio, Oblea de carburo de silicio, Oblea de fosfuro de galio, Oblea de silicio, Oblea de germanio 1851 (Ge wafer).

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ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
Descripción
Especificación

Descripción de los sustratos de obleas de óxido de zinc

Con una estructura cristalina ideal, el sustrato para obleas de ZnO (óxido de zinc ) tiene un desajuste reticular del 2% con respecto al GaN, que es mucho menor que el desajuste reticular de la oblea de zafiro y la oblea de SiC. El sustrato para obleas de ZnO es uno de los más adecuados para el crecimiento epitaxial de GaN y para aplicaciones de semiconductores de banda prohibida ancha. El sustrato para obleas de ZnO se suministra en forma cuadrada, sin dopar, tamaño 10 x 10 x 0,5 mm, acabado superficial pulido por las dos caras y orientado <0001>, nuestro sustrato para obleas de ZnO de alta calidad se ha utilizado ampliamente para el crecimiento de dispositivos basados en nitruro.

zinc-oxide-wafers-substrates

Especificaciones de los sustratos de obleas de óxido de zinc

Fórmula química

ZnO

Estructura cristalina

Hexagonal

Constante de red

3.3 A

Desajuste de red con GaN en el plano <0001

9

Conductividad térmica

0,006 cal / cm /K

Índice de refracción

2.0681 / 2.0510

Cara pulida identificada

Cara Zn / Cara O

Aplicaciones de los sustratos de obleas de óxido de zinc

- Sustrato para circuitos semiconductores
- LED de ZnO
- Película de ZnO

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