Descripción de la oblea SOI
Las obleas de silicio sobre aislante (SOI) son las más comunes en la fabricación de sistemas microelectromecánicos (MEMS) y circuitos integrados avanzados de óxido metálico-semiconductor complementario (CMOS), y pueden mejorar muchos de los procesos en los que se utilizan las obleas de silicio más tradicionales. Estas obleas ofrecen una solución de fabricación que ayuda a reducir la potencia y el calor al tiempo que aumenta el rendimiento de velocidad de un dispositivo. Las obleas SOI son productos únicos para aplicaciones específicas de usuario final.

Especificaciones de las obleas SOI
Método
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Unión por fusión
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Diámetro
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De 2'' a 12''
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Grosor del dispositivo
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2 um ~ 300 um
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Tolerancia
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+/- 0,5 um ~ 2 um
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Orientación
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<100> / <111> / <110> u otras
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Conductividad
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Tipo P / Tipo N / Intrínseca
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Dopante
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Boro / Fósforo / Antimonio / Arsénico
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Resistividad
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0,001 ~ 100000 ohm-cm
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Espesor del óxido
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500A ~ 4 um
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Tolerancia
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+/- 5%
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Oblea de mango
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>= 300 um
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Superficie
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Pulido doble cara
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Recubrimiento
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Se puede suministrar óxido y nitruro en ambas caras de la oblea SOI
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Aplicaciones de la oblea SOI
Las áreas de aplicación incluyen sensores de presión, micrófonos de silicio y componentes fluídicos, mientras que las capas más gruesas son adecuadas para la fabricación de sensores inerciales. También puede utilizarse en la integración de procesos de CI y MEMS. También permite el empaquetado trasero integrado y el sellado hermético.