SC0897 Boquilla de carburo de silicio (boquilla SiC)

Catálogo No.	SC0897
Material	Cerámica SiC
Pureza	97%~99%
Densidad	3,05~3,15 g/cm3
Apariencia	Negro
Punto de fusión	2.730° C (4.946° F) (se descompone)

Laboquilla de carburo de silicio tiene una excelente conductividad térmica, baja expansión térmica y es resistente a la corrosión de los ácidos. Stanford Advanced Materials (SAM) es un proveedor y fabricante de confianza de SiC sinterizado, SiC aglomerado por reacción y SiC recristalizado de alta calidad. Personalización disponible bajo pedido.

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	Pureza del carburo de silicio	Temp. Temp. de trabajo (`C)	Densidad aparente (g/cm3)	Aspecto Porosidad	Resistencia a la flexión (MPa)	Resistencia a la compresión (MPa)	Expansión térmica (10^-6/`C)	Conductividad térmica (W/m.K)	Características principales
SiC recristalizado	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Resistencia a altas temp. Alta pureza
SiC sinterizado	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Resistencia a la fractura
SiC adherido por reacción	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Resistencia química

	Pureza del carburo de silicio	Temp. Temp. de trabajo (`C)	Densidad aparente (g/cm3)	Aspecto Porosidad	Resistencia a la flexión (MPa)	Resistencia a la compresión (MPa)	Expansión térmica (10^-6/`C)	Conductividad térmica (W/m.K)	Características principales
SiC recristalizado	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Resistencia a altas temp. Alta pureza
SiC sinterizado	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Resistencia a la fractura
SiC adherido por reacción	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Resistencia química

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