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IN2272 Oblea de fosfuro de indio

Catálogo No. IN2272
Material InP
Espesor 350 um - 625 um
Tipo conductor N - tipo
Diámetro Ø 2" Ø 3" Ø 4"

Stanford Advanced Materials (SAM) ofrece una amplia gama de obleas compuestas, entre ellas obleas de GaAs, obleas de GaP, obleas de GaSb, obleas de InAs y obleas de InP.

Productos relacionados: Oblea denitruro de galio, Oblea de arseniuro de galio, Oblea de germanio (Ge wafer), Oblea de fosfuro de galio, Oblea de arseniuro de indio.

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