AL1885 AlSiC Placa base IGBT de aluminio y carburo de silicio

Placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT Descripción

El AlSiC se utilizó por primera vez en el sustrato del chip del radar militar estadounidense para sustituir al cobre de tungsteno. Tras la sustitución, el efecto de disipación del calor es excelente, y la pérdida de peso total del radar es de 10 kg, lo que hace que el material de carburo de aluminio-silicio atraiga la atención. Los módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de alta corriente generan una gran cantidad de calor durante su funcionamiento. El material AlSiC se utiliza normalmente para fabricar el sustrato IGBT, y el módulo IGBT de alta potencia está firmemente empaquetado, de modo que el chip puede utilizarse en condiciones de vibración, alta temperatura y polvo .La placa base IGBT de aluminio y carburo de silicioes muy ligera, sólo tiene 1/3 del peso del cobre, pero su resistencia a la flexión es tan buena como la del acero. Esto la hace excelente en rendimiento sísmico, superando al sustrato de cobre. Porlo tanto, en los envases electrónicos de alta potencia, las placas base IGBT de carburo de silicio y aluminio son materiales insustituibles debido a su combinación única de alta conductividad térmica, bajo coeficiente de expansión térmica y resistencia a la flexión.

Especificación de la placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT

Aplicaciones de la placa base IGBT de carburo de silicio y aluminio

La placa base IGBT de carburo de silicio y aluminio tiene las siguientes aplicaciones:

-Electrodomésticos,
-Transporte,
-Ingeniería energética
-Energía renovable
-Red inteligente
-Control del tráfico
-Conversión de energía
-Motores industriales
-Ininterrumpible
-Fuentes de alimentación
-Equipos eólicos y solares
-Convertidores de frecuencia para control automático

Embalaje de la placa base de aluminio carburo de silicio IGBT

Utilizamos el sellado al vacío para llenar la caja de cartón y evitar impactos. Tenemos mucho cuidado para evitar cualquier daño que pueda producirse durante el almacenamiento o el transporte de la placa base de aluminio y carburo de silicio para IGBT.